化合物半導体ウェハの加工方法

炭化ケイ素（SiC）に代表される次世代半導体基板は、非常に硬く機械研磨では加工困難な材料である。
本特許は、RFマグネトロンプラズマによる気相反応により、ダメージレス平面均一エッチングである。
機械加工で問題である加工歪の発生、潜傷の発生を起こすことなく、気相化学反応によってSiC基板うを均一に薄板化することが可能な化合物半導体ウェハの加工方法を提供する技術である。